在固态硬盘中，Flash的最小存储单元是晶浮栅晶体管，对应于磁盘中的一个bit的存储单元。SSD中，在存储单元晶体管的栅（Gate）中，注入不同数量的电子，通过改变栅的导电性能，来改变晶体管的导通效果，从而实现对不同状态的记录和识别。在SLC架构中，栅中的电子数目多与少，带来的只有两种导通状态，对应读出的数据就只有0/1；MLC架构中，栅中电子数目不同时，可以读出多种状态，能够对应出00/01/10/11等不同数据。
因此，SSD数据处理都要进行加电处理，加电的过程等同于HDD硬盘的数据写入操作，断电的过程电位恢复，相当于HDD硬盘的擦除。数据完整的一次P/E循环就是NAND的写入循环。因为P/E循环次数是有限的，这也就直接影响到SSD的寿命。但是根据存储架构的不同，SDD的寿命也是有差别的。
由于SLC结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动，所以其速度更好；而MLC采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。不过，MLC的缺点也很明显，其写入寿命较短，读写方面的能力也比SLC低；.TLC采用三层存储单元，因此可以以较低的成本实现更大的容量。但是，由于TLC拥有多达8个电平状态，因此在电位控制上更加复杂，特别是写入速度会大受影响，延迟增加。加之众多的电平状态，其使用寿命更短。
近两年，三星、东芝等闪迪巨头均推出了3D V-Nand闪存，将原本平面堆砌的闪存垂直叠加，形成摩天大楼式的存储模式，这样除了可以大幅提升闪存存储密度外，还可能延长闪存的PO寿命，尤其是TLC闪存。3DV-Nand抛弃了传统的浮栅极MOSFET结构，采用了用控制栅极和绝缘层将MOSFET环形包裹起来的方式。由于浮栅极MOSFET结构是将电子存储在栅极中，每次写入都会消耗栅极中的电子，一旦电子用光SSD也就寿终正寝了。而现在则会大大提升储存电荷的物理区域，特别是对TLC闪存产品有非常积极的意义。
基于DRAM的固态硬盘是采用DRAM作为存储介质，应用范围较窄。它仿效传统硬盘的设计，可被绝大部分操作系统的文件系统工具进行卷设置和管理，并提供工业标准的PCI和FC接口用于连接主机或者服务器。应用方式可分为SSD硬盘和SSD硬盘阵列两种。它是一种高性能的存储器，而且使用寿命很长。但是基于DRAM的固态硬盘的费用也是非常昂贵，因为基于DRAM的固态硬盘内部必须持续供电，而且还得为其做备份。
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